《表3 AgNaO价带在S4本征值中的占据数, 其中用来标记S4本征值, Γ= (0, 0, 0) , Z= (0, 0, 1) , P'= (0, 1, -1/2) , P= (0, 1,
提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式
其中SIM指S4不变的动量（即具有S4对称的高对称点）集合，这里对于SG216，SIM={Γ，Z，P'，P}（见表3），s4是S4的本征值，且第一性计算得到κ4=1 mod 2（参见表3），表明材料是一个强拓扑绝缘体[92，93]。
| 图表编号 | XD0077865600 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2019.06.12 |
| 作者 | 唐峰、万贤纲 |
| 绘制单位 | 南京大学物理学院固体微结构物理国家重点实验室、南京大学人工微结构科学与技术协同创新中心、南京大学物理学院固体微结构物理国家重点实验室、南京大学人工微结构科学与技术协同创新中心 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
