《表2 双层膜不同厚度参数及退火参数》

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《退火温度和溅射时间对磁控溅射法制备Mg_2Si薄膜的影响》

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本次实验设置了退火温度和溅射Si、Mg薄膜厚度两组梯度，研究了退火温度和薄膜厚度对溅射两层Si、Mg薄膜的影响，具体工艺参数如表1和表2所示，为了便于精确控制，薄膜厚度采用溅射时间来表述，其中Si膜的溅射速率为10nm/min，Mg膜的溅射速率为80nm/min.