《表1 半导体器件常用金属的性质》

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《碳化硅肖特基器件多层金属化技术研究》

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多层金属结构存在的问题是金属薄膜间的扩散和相变反应会导致电阻升高。选择每一层金属材料的原则是该金属导电性要好，且要易于淀积成薄膜、易于刻蚀。为获得最佳的芯片双面接触效果，使管芯背部金属电极与正面电极具有同样的多层复合结构，在此，按照从内到外的顺序，设计了粘附层+阻挡层+导电层（焊接层）的多层金属化方案。各层金属材料的详细选择方法如表1所示。