《表3 PVBT和n PVBT的薄膜器件性能》

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《基于苯乙烯和苯并噻二唑共聚场效应发光高分子材料的设计合成及性能研究》

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为了研究高分子材料的电荷传输性质，我们制备了基于PVBT和n PVBT薄膜的顶栅-底接触型OFET器件，并研究了不同温度热处理条件下（150、180、210℃热退火）的器件性能，结果显示180℃热退火10 min的器件性能较好（150℃和210℃的器件性能见图S14及表S2），相关的性能数据汇总于表3.图5给出了所构筑晶体管器件代表性的转移[图5（A），5（C）]和输出[图5（B），5（D）]曲线.PVBT和n PVBT均表现为典型的p型电荷传输特性，具有理想的栅压调控特性.从表3可以看出，两个高分子材料的迁移率差距不大，平均迁移率为0.4×10-4 cm2·V-1·s-1和0.5×10-4 cm2·V-1·s-1，最高迁移率为1.1×10-4 cm2·V-1·s-1，器件均展现了较大的开关比特性，在103～104之间.研究表明，烷氧基链对迁移率的影响不大，图5（A）和5（C）显示电流开平方值（-IDS）1/2与VG的关系曲线接近理想线型，说明根据饱和区计算得到的迁移率是可信的[50].由于两个高分子材料较低的HOMO能级导致活性层与源电极间的空穴注入势垒较大，导致器件展示了较大的阈值电压（VT）.后续又对PVBT和n PVBT的晶体管器件测试了回滞曲线（图S15），实验结果可以看出两个材料的器件在工作过程中回滞较小，说明活性层界面的缺陷小，器件具有良好的电学稳定性.