《表1 国产硅片与进口硅片晶体参数测试对比》

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《氮化镓外延用硅衬底问题研究》

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硅单晶本身的内部缺陷和氧含量等对于硅片本身的力学性能有着重要影响，另外，硅片的掺杂、厚度和晶向等也是影响硅片机械强度的重要参数。我们分别对国产硅片和进口硅片进行了分析测试，结果见表1。从测试结果表明，国产硅片与进口硅片均采用了1 000μm厚P<111>重掺硼衬底，<111>晶向主要是为了与氮化镓的六方纤锌矿结构相匹配，减小晶格失配，重掺硼则是为了提高硅片的机械强度，进口硅片的掺杂浓度比国产硅片高一个数量级，电阻率达到0.003 6Ω·cm，这是一个显著的区别。国产硅片和进口硅片在氧、碳浓度方面不存在差异，均为正常的氧碳含量值。而体缺陷上国产硅片更少，说明在基础单晶制备上不存在难度，主要是将硅片的电阻率控制到与进口片电阻率值相一致。