《表3 不同掺杂区域的硅片表面的复合速率的参数[2]》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《2020年中国光伏技术发展报告——晶体硅太阳电池研究进展（1）》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

数值效率损失/%800.87体

中利腾辉发表了其在PERC太阳电池各个区域的复合损失的结果，如表3所示[2]。从表中可以看出，在金属区域和非金属区域表面复合导致饱和电流密度（J0）的差别非常大，因此若要提高带金属栅线的表面复合损失，就需要减小金属栅线的面积。而降低具有金属电极的表面饱和电流密度是提升电池效率的有效手段，图7给出了不同表面饱和电流密度与开路电压的关系[3]。