《表1 硅片的酸腐蚀条件：化学腐蚀后的表面状态对硅片Fe沾污的影响》

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《化学腐蚀后的表面状态对硅片Fe沾污的影响》

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实验选取轻掺B<100>晶向的研磨硅片，研磨使用Speed Fam 20B研磨机，研磨压力为45 MPa，转速为50 r·min-1，采用FUJIMI PWA-12磨砂，磨砂中值粒径为（7.8±0.6）μm，硅片的平均体Fe浓度均值为1×109atom·cm-3的水平。硅片的酸腐蚀采用HNO3-HF-CH3COOH混酸溶液，碱腐蚀采用KOH溶液。所有实验硅片首先经过不同的酸腐蚀条件和碱酸腐蚀条件进行腐蚀，腐蚀条件如表1和表2所示。表1中的酸液分为新酸和乏酸，新酸为刚配置的酸液，乏酸指新配的酸液腐蚀500片硅片之后的酸液。腐蚀完成之后，为了排除腐蚀过程中的Fe沾污对实验结果的影响，将所有的硅片均经过改进型RCA清洗工艺，主要为经过2次SC-1溶液（5%NH4OH与10%H2O2）、1次SC-2溶液（体积比为HCl∶H2O2∶H2O=1∶1∶20）、1次稀HF溶液（含1%HF）并配合多次QDR清洗。第一部分实验为：将清洗后的酸腐蚀硅片分为五组，每组均包含四种不同的酸腐蚀条件的硅片，第一组硅片直接退火；第二组硅片在浓度为5×10-9mol·L-1的Fe Cl3溶液中浸泡沾污10 min后退火；第三组硅片经过Fe Cl3溶液沾污后用超纯水冲洗10 s，再退火；第四组和第五组分别将硅片的一半和全部浸入SC-1溶液中2 min后，在Fe Cl3溶液中沾污，然后经过超纯水冲洗后退火。第二部分实验：将清洗后的碱腐蚀硅片分为三组，每组均包含四种不同的碱腐蚀条件的硅片，第一组硅片直接退火；第二组硅片在浓度为5×10-9mol·L-1的Fe Cl3溶液中浸泡沾污10 min后退火；第三组硅片经过Fe Cl3溶液沾污后用超纯水冲洗10 s，再退火。硅片退火前均在空气中晾干，退火温度为650℃，退火时间30 min。退火后的硅片经过抛光后测体Fe。