《表3 不同碱腐蚀条件下的硅片去除量》
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为了进一步分析图6的实验结果，对碱腐蚀前后的硅片厚度进行了测量，从而得到了硅片的腐蚀去除量，如表3所示。
| 图表编号 | XD00218686400 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2021.01.01 |
| 作者 | 赵江伟、宁永铎、周旗钢、钟耕杭、刘斌、肖清华 |
| 绘制单位 | 北京有色金属研究总院、有研半导体材料有限公司、有研半导体材料有限公司、北京有色金属研究总院、有研半导体材料有限公司、有研半导体材料有限公司、有研半导体材料有限公司 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
为了进一步分析图6的实验结果，对碱腐蚀前后的硅片厚度进行了测量，从而得到了硅片的腐蚀去除量，如表3所示。
| 图表编号 | XD00218686400 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2021.01.01 |
| 作者 | 赵江伟、宁永铎、周旗钢、钟耕杭、刘斌、肖清华 |
| 绘制单位 | 北京有色金属研究总院、有研半导体材料有限公司、有研半导体材料有限公司、北京有色金属研究总院、有研半导体材料有限公司、有研半导体材料有限公司、有研半导体材料有限公司 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
![表3 不同试验条件下的腐蚀试验数据[2]](http://bookimg.mtoou.info/tubiao/gif/HYZB201904010_02100.gif)
