《表3 不同研磨砂碱腐蚀后腐蚀坑平均深度》

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《硅单晶片化学腐蚀坑深控制的研究》

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采用台阶仪分别对三种晶片的腐蚀坑深进行了测试，结果如表3所示。根据实验结果，可以推断，硅晶片的腐蚀坑深与硅磨片表面损伤层有关，损伤层越深，晶片腐蚀坑越深，平坦度越差，原因在于硅片的碱腐蚀为各项异性腐蚀，且<111>晶片的去除速率远小于<100>、<110>晶向，在表面损伤层较深的情况下，腐蚀液在与损伤层的最深处发生反应会造成晶片腐蚀坑深度较深。