《表3 不同交流电流强度和浸泡时间涂层缺陷处的腐蚀坑深度》

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《扫描电化学显微镜原位观察碳钢涂层缺陷处的交流腐蚀行为》

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表3列出了交流电流强度和浸泡时间不同条件下腐蚀坑的深度。可以看出，点蚀坑腐蚀的形貌与SECM的结果吻合。在未施加交流电的条件下涂层缺陷处的腐蚀量较小；浸泡5 h后，在三种交流电流强度下试样缺陷处金属基底的腐蚀坑深度相差不大。随着浸泡时间的延长，从10 h开始三种不同交流电流强度下试样缺陷处的腐蚀速率差异加大，且电流强度越大腐蚀越严重，涂层出现剥离。浸泡时间为24 h时300 A/m2电流强度下腐蚀坑的深度为238.4μm，明显大于50 A/m2和100 A/m2时的腐蚀坑深度143.2μm和154.1μm。300 A/m2电流强度下腐蚀坑的宽度也明显大于50 A/m2和100 A/m2，因为涂层缺陷面积较小时缺陷处腐蚀产物不断扩散到剥离区，使阴、阳极区分离，阴极区碱性的OH-不断积累，降低了涂层与基体的结合力，涂层剥离程度不断增大[21]。