《表4 不同研磨砂碱腐蚀的去除厚度》

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《硅单晶片化学腐蚀坑深控制的研究》

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采用CA12研磨砂的晶片分两种工艺进行腐蚀：第一，直接进行碱腐蚀；第二，采用酸腐蚀后，在进行相同工艺条件的碱腐蚀，具体去除厚度如表4所示。碱腐蚀去除厚度差别的主要原因同样是碱腐蚀前的硅片表面损伤层深浅不一。经过酸腐蚀的晶片去除了晶片在研磨过程中造成的损伤层，故在后续的碱腐蚀过程中去除量降为5～7μm。