《表5 不同研磨砂碱腐蚀的去除厚度》

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《硅单晶片化学腐蚀坑深控制的研究》

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采用台阶仪分别对上述两种晶片的腐蚀坑深进行了测试，结果如表5所示。可以看出，通过增加酸腐蚀，进一步降低了或完全去除了晶片的损伤层，在碱腐蚀之后进一步降低了腐蚀坑的平均深度，提高了硅腐蚀片晶片的表面质量。