《表2 不同研磨砂碱腐蚀的去除厚度》

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《硅单晶片化学腐蚀坑深控制的研究》

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采用不同研磨砂的晶片进行相同工艺条件的碱腐蚀，去除厚度不尽相同，具体去除厚度如表2所示。去除厚度差别的主要原因在于腐蚀前的硅磨片表面损伤层深浅不一，碱腐蚀与损伤层反应期间，去除损伤层速率较快，而在损伤层完全去除后，腐蚀速度就降了下来。