《表3 不同退火条件下的p-ITO腐蚀测试》

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《热处理对磁控溅射法制备p-ITO(40 nm)薄膜特性的影响》

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表3为不同退火温度条件及退火次数对pITO膜层在SD层的decap腐蚀实验。实验结果可知，正常生产条件下（250℃，32 min）发生腐蚀。第二次追加退火（增加退火次数，增加退火时间，提高退火温度）对p-ITO膜层的腐蚀有改善效果。图16为腐蚀测试的图片和发生位置。从腐蚀发生位置看，腐蚀多发生于玻璃中间位置，为结晶较差区域，和SEM和XRD等的测试结论一致。从腐蚀图片看，腐蚀原因为p-ITO膜层结晶不充分，推测为晶粒间缝隙大，刻蚀液进入导致腐蚀。