《表1 p-ITO样品制备条件》

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《热处理对磁控溅射法制备p-ITO(40nm)薄膜特性的影响》

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本文采用ULVAC的SMD-1800V型立式磁控溅射镀膜机在玻璃基板表面沉积p-ITO膜，pITO靶材购买自Samsung。本底真空度小于5.0×10-4 Pa，氩气纯度为99.9999%，购买自Air Liquid。玻璃基板购买自彩虹光电科技股份有限公司，其尺寸为1 850 mm×1 500 mm，厚度为0.5mm。成膜工艺如表1所示。