《表3 不同退火条件下的p-ITO腐蚀测试》
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《热处理对磁控溅射法制备p-ITO(40nm)薄膜特性的影响》
表3为不同退火温度条件及退火次数对pITO膜层在SD层的decap腐蚀实验。实验结果可知,正常生产条件下(250℃,32 min)发生腐蚀。第二次追加退火(增加退火次数,增加退火时间,提高退火温度)对p-ITO膜层的腐蚀有改善效果。图16为腐蚀测试的图片和发生位置。从腐蚀发生位置看,腐蚀多发生于玻璃中间位置,为结晶较差区域,和SEM和XRD等的测试结论一致。从腐蚀图片看,腐蚀原因为p-ITO膜层结晶不充分,推测为晶粒间缝隙大,刻蚀液进入导致腐蚀。
图表编号 | XD0060585100 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.04.01 |
作者 | 王效坤、朴祥秀、孟雷、房伟华、刘飞 |
绘制单位 | 合肥京东方光电科技有限公司、合肥京东方光电科技有限公司、合肥京东方光电科技有限公司、合肥京东方光电科技有限公司、合肥京东方光电科技有限公司 |
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