《表1 CVDZnS沉积工艺参数》
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《沉积温度、压力对CVDZnS晶粒尺寸及性能的影响》
采用化学气相沉积法制备CVDZnS，使用Zn（纯度为99.999%和H2S(纯度为99.99%）气体作为初始原料，控制沉积温度为650～700℃，沉积温度偏差为20～30℃，沉积压力为5 000～9 000 Pa，沉积压力偏差为2 000 Pa，H2S流量（2±1）L/min，氩气流量（35±2）L/min，CVDZnS沉积工艺参数如表1所示。CVDZnS反应原理如下式：
| 图表编号 | XD00156852700 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2020.06.01 |
| 作者 | 魏乃光、郭立、杨海、刘晓华、田智瑞、黎建明、李冬旭、蒋立朋、李文江、赵永田、杨建纯 |
| 绘制单位 | 北京有色金属研究总院有研国晶辉新材料有限公司、北京有色金属研究总院有研国晶辉新材料有限公司、北京有色金属研究总院有研国晶辉新材料有限公司、北京有色金属研究总院有研国晶辉新材料有限公司、北京有色金属研究总院有研国晶辉新材料有限公司、北京有色金属研究总院有研国晶辉新材料有限公司、北京有色金属研究总院有研国晶辉新材料有限公司、北京有色金属研究总院有研国晶辉新材料有限公司、北京有色金属研究总院有研国晶辉新材料有限公司、北京有色金属研究总院有研国晶辉新材料有限公司、北京有色金属研究总院有研国晶辉新材料有限公司 |
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