《表1 稀磁性Mn掺杂的MnxGe1-x薄膜研究近况[20, 25, 27, 32, 47-54]》

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《分子束外延制备稀铁磁性Mn_xGe_(1-x)量子点研究进展》

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Note:“Tg”means growth temperature；“R”means rate

基于对MnxGe1-x DMS薄膜的研究，早在2002年，Park等[33]就已经报道了在Ge和GaAs衬底上通过外延法生长铁磁性单晶MnxGe1-x（x=0.006~0.035）薄膜。研究表明，随着Mn掺杂浓度的变化，MnxGe1-x薄膜的Tc从25K线性增加到116K。此外，他们还发现样品的铁磁性来源于Mn掺杂浓度高于周围介质浓度（10%~15%）时形成的直径为2~6nm的析出相。几乎同时，Tsui和Bihler等[38-39]也生长了同质外延[40]和异质外延[41]Mn掺杂Ge的薄膜和单晶。Li等[42]的研究表明，在外延生长MnxGe1-x DMSs薄膜期间，需要低的生长温度（50℃