《表2 MBE法制备稀铁磁性Mn掺杂的MnxGe1-x QDs研究近况[2-3, 15, 21-23, 59-60]Table 2 Recent developments of diluted Fer

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《分子束外延制备稀铁磁性Mn_xGe_(1-x)量子点研究进展》

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Note:“Tg”means growth temperature；“R”means rate；“Nt”means the nominal thickness；“ET-FM”means the electric field controlled ferromag netic temperature

在这些薄膜结构中，通过MBE法制备的异质外延MnxGe1-x QDs准零维纳米结构，由于其尺寸和量子限制效应等引起的显著物理性质影响了载流子迁移率、自旋寿命和自旋相互作用等，进而影响了铁磁性能[19，57-58]。且最新研究表明[2-3]，MnxGe1-x QDs纳米结构中的量子限制效应将显著增加局部载流子浓度，并增强载流子和局部Mn掺杂剂之间的耦合，以及通过其纳米结构调节取代Mn掺杂剂诱导的应变去抑制其金属间析出相的形成。因此，由Mn掺杂的Ⅳ族MnxGe1-x QDs DMS材料被认为是实现室温下可操控性电子自旋器件以及可控铁磁性能的理想材料候选者。表2列出了近几年关于MBE法制备稀铁磁性MnxGe1-x QDs薄膜研究的近况。其中，Mn掺杂剂速率R（Mn）均为可调。