《表3 MnGe QDs/Si样品和MnGe QDs/SiGe样品中Ge组分和应变弛豫, 以及15nm厚SiGe VS中的Ge组分的计算值[2]Table 3 Calculated values fo

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《分子束外延制备稀铁磁性Mn_xGe_(1-x)量子点研究进展》

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Nolph等[26]通过对Mn岛形状和QDs上的位置统计分析认为，QDs应变场不影响Mn岛位置，而超小Mn簇的形成在Ge（001）WL上占主导地位，这和Mn与非应变Ge（001）表面的相互作用形成对比。Prestat等[34]的研究表明，在高应变Mn掺杂的Ge QDs中，高的生长温度使得Mn从Ge中迅速地扩散到Si衬底，而降低生长温度，则Mn的扩散速度也降低，并在Ge QDs层中部分弛豫的QDs和完全应变的Ge WL中检测到了Mn的析出相。2016年，Wang等[2]使用MBE共沉积Mn的方法研究了应变和组分对Mn0.05Ge0.95QDs铁磁性的影响。样品分别生长在Si衬底和15nm厚的完全应变Si0.8Ge0.2真实衬底（Virtual substrate，VS）上。超导量子干涉仪（SQUID）磁性测量发现，在Si0.8Ge0.2 VS上生长的QDs样品表现出明显的铁磁性，居里温度TC为227K，其铁磁性归因于铁磁性相Mn掺杂的大圆顶形Ge QDs，而非铁磁相Mn5Ge3团簇，如表3所示[2]。他们通过进一步的研究发现，过度生长的QD中产生的21%的残余应变源于完全应变的Si0.8Ge0.2VS，并且其致使QDs中Ge组分增加了0.14。