《表1 应变Ge材料能带计算相关参数》

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《(001)面双轴应变锗材料的能带调控》

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其中:ε=εxx+εyy+εzz，ε‖=εxx=εyy=（a‖-aGe）/aGe代表x、y平面内的晶格应变，ε⊥=εzz=（a⊥-aGe）/aGe代表z方向的晶格应变，aGe为未应变体Ge材料的晶格常数。对于双轴应变情况下，ε⊥=-（2C12/C11）ε‖，其中C12和C11表示锗材料的弹性常数，详见表1，单位为GPa。aΓ、aL及ΞuΔ分别表示导带Г能谷、L能谷及Δ能谷的形变势能，它们可以由实验测量获得[19-20，22]，详见表1，单位为eV。