《离子注入讲义 离子注入工艺部分 上》求取 ⇩

作者 北京师范大学物理系 编者
出版 北京师范大学物理系
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出版时间 1977（求助前请核对）  目录预览
ISBN号 无 — 违规投诉 / 求助条款
PDF编号 83510108（学习资料 勿作它用）
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离子注入讲义 离子注入工艺部分 上 1977 PDF电子版封面 北京师范大学物理系

目录1

第一章　绪论1

第一节　半导体离子注入技术简介1

第二节　半导体基础知识简介10

第二章　注入离子在半导体中的射程分布27

第一节　有关射程分布的几个基本概念27

第二节　非晶靶中的射程分布28

第三节　非晶靶中的浓度分布的应用实例39

第四节　理论与实验的比较54

第五节　单晶靶中的射程分布62

第三章　晶？的损伤和退火72

第一节　幅射损伤72

第二节　退火83

第三节　增强扩散效应及其应用109

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