《离子注入讲义 离子注入工艺部分 上》
| 作者 | 北京师范大学物理系 编者 |
|---|---|
| 出版 | 北京师范大学物理系 |
| 参考页数 | 103 |
| 出版时间 | 1977（求助前请核对） 目录预览 |
| ISBN号 | 无 — 求助条款 |
| PDF编号 | 83510108（仅供预览，未存储实际文件） |
| 求助格式 | 扫描PDF（若分多册发行，每次仅能受理1册） |
目录1
第一章 绪论1
第一节 半导体离子注入技术简介1
第二节 半导体基础知识简介10
第二章 注入离子在半导体中的射程分布27
第一节 有关射程分布的几个基本概念27
第二节 非晶靶中的射程分布28
第三节 非晶靶中的浓度分布的应用实例39
第四节 理论与实验的比较54
第五节 单晶靶中的射程分布62
第三章 晶？的损伤和退火72
第一节 幅射损伤72
第二节 退火83
第三节 增强扩散效应及其应用109
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