《离子注入技术》求取 ⇩

第一章固体中的离子射程1

1.1 核阻止和电子阻止1

1.2 射程和离散10

1.3 注入离子的侧向分布18

1.4 双层靶中离子的浓度分布23

第二章沟道效应27

2.1 沟道现象和实验27

2.2 沟道理论31

2.3 晶体内离子射程分布的实验测量38

2.4 辐射增强扩散47

第三章辐射损伤50

3.1 定性描述50

3.2 离子注入产生的辐射损伤56

3.3 缺陷的移动和退火76

第四章离子注入装置78

4.1 概述78

4.2 离子源79

4.3 离子流的引出和加速95

4.4 质量分析系统97

4.5 离子束聚焦和扫描系统98

4.6 靶室系统102

4.7 真空系统105

4.8 国内外离子注入机类型109

第五章元素半导体中的离子注入114

5.1 离子注入Si、Ge中的分布114

5.2 注入层的性能和退火123

5.3 晶格损伤132

5.4 注入离子的位置140

第六章化合物半导体中的离子注入147

6.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的离子注入148

6.2 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的离子注入168

6.3 其它化合物半导体中的离子注入170

6.4 退火及保护膜177

6.5 双注入185

第七章离子注入参数的测量188

7.1 离子微探针法188

7.2 中子活化分析法190

7.3 核反应分析191

7.4 离子感生X射线194

7.5 Rutherford背散射196

7.6 沟道效应200

7.7 电子自旋共振法203

7.8 Raman散射207

7.9 反射和透射电子衍射213

7.10 光学反射率法214

7.11 椭圆偏振光法217

7.12 场离子显微镜219

第八章应用221

8.1 离子注入在半导体中的应用221

8.2 金属中的离子注入253

8.3 磁性材料中的离子注入256

8.4 绝缘材料中的离子注入258

8.5 离子注入在超导材料中的应用260

附录266

参考文献308