《半导体中离子注入》

目录1

第1章 引言1

1.1历史的回顾1

1.2基本概念2

1.3应用4

1.4晶体结构6

1.5半导体的掺杂9

第2章 原子间的碰撞12

2.1引言12

2.2弹性碰撞14

2.3非弹性碰撞43

第3章 离子射程49

3.1引言49

3.2射程概念51

3.3射程计算56

3.4LSS的概述61

3.5计算机计算和模拟67

3.6测量技术69

3.7实验结果72

第4章 沟道效应79

4.1沟道现象79

4.2卢瑟福散射和沟道94

4.3通量峰111

第5章 缺陷的产生125

5.1引言125

5.2固体中的点缺陷126

5.3固体中的扩展缺陷130

5.4离子注入产生的缺陷135

5.5级联的尺寸149

5.6晶状固体中产生的无序159

5.7缺陷的迁移和退火171

6.2观测损伤的直接法177

6.1引言177

第6章 辐射损伤的测量177

6.3观测损伤的间接法186

6.4实验测量188

6.5无序的稳定性206

第7章 器件应用210

7.1引言210

7.2注入层的电学性质211

7.3平面扩散工艺219

7.4注入结的性质222

7.5特殊器件中的应用227

参考文献240