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出版说明1

前言1

第1章 离子注入装置1

§1-1 装置的结构1

目录1

§1-2 基本工作原理2

附录1-1 离子注入用主要气体源性质8

附录1-2 几种天然元素及离子源工作物质的性质10

§2-1 射程、投影射程及标准偏差11

§2-2 入射离子在固体中的减速过程11

第2章 注入离子的射程分布11

§2-3 非晶靶的射程分布理论19

§2-4 沟道运动及单晶靶中射程分布28

§2-5 射程分布理论的应用34

附录2-1 两粒子碰撞的散射角37

附录2-2 Si靶中各种离子的Rp、ΔRp及Δx值40

附录2-3 GaAs靶中各种离子的Rp、ΔRp及Δx值41

附录2-4 SiO2靶中各种离子的Rp、ΔRp及Δx值41

第3章 离子注入的损伤和退火效应43

§3-1 离子注入引起的损伤43

§3-2 离子注入损伤的分布48

§3-3 热退火效应51

§3-4 其他退火方式55

§3-5 增强扩散60

§3-6 反冲注入62

第4章 化合物半导体中的离子注入64

§4-1 注入损伤及其退火特性64

§4-2 半绝缘GaAs中的离子注入71

§4-3 GaAs中的质子注入和O+注入73

§4-4 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的离子注入75

第5章 测量技术77

§5-1 背散射测量77

§5-2 放射性活化分析82

§5-3 微分薄层电阻率法85

§5-4 霍耳效应测量法87

§5-5 电容-电压法88

§5-6 椭偏光测量法91

第6章 离子注入技术在器件中的应用94

§6-1 离子注入技术特点94

§6-2 在MOS器件中的应用95

§6-3 在双极器件中的应用102

§6-4 在其他硅器件中的应用107

§6-4 在化合物半导体器件中的应用108

§6-6 在其他工艺上的应用110