《重离子物理实验方法》求取 ⇩

第一章多电荷态重离子的产生(H.温特尔)1

1.1 引言1

1.11 重离子束的产生和应用1

1.12 多电荷态重离子源研制方面的进展3

1.13 多电荷态重离子源结构的一般特性5

1.2 多电荷态离子源的基本工作过程7

1.21 离子的产生7

1.22 离子的损失13

1.23 在产生多电荷态离子的结构中的平衡，多电荷态离子源的主要参数18

1.24 离子束动力学34

1.25 多电荷态离子源的诊断38

1.26 多电荷态离子源的工艺41

1.3 关于各种多电荷态离子源结构的讨论44

1.31 等离子体多电荷态离子源44

1.32 具有强的离子约束的多电荷态离子源96

1.33 其他多电荷态离子源的设计108

1.34 加速器-积成多电荷态离子源109

1.4 结论110

参考文献112

2.1 引言121

第二章重离子穿过物质(H.施米特-博金)121

2.2 荷电粒子能量转移的机制126

2.3 荷电粒子在物质中的平均能量损失139

2.31 快入射粒子的电子阻止(Vp?Vo)140

2.32 低速度离子(Vp?Vo·Zp2／3)的电子阻止153

2.33 核阻止155

2.34 在重离子的平均能量损失中的高阶效应157

2.4 阻止本领的测量方法162

2.41 微分方法163

2.42 积分方法167

2.43 间接方法172

2.5 能量离散173

2.51 快速粒子(Vp?Vo)的能量离散174

2.52 低速粒子(Vp?Vo·Zp2／3)的能量离散186

2.53 射程离散189

2.6 多次散射190

2.7 结论193

参考文献195

第三章重离子探测器(B.马丁，H.斯特尔泽)204

3.1 硅探测器204

3.11 硅探测器的能量分辨率205

3.12 硅半导体探测器的脉冲高度亏损210

3.13 在硅探测器中的等离子体时间212

3.14 硅探测器的辐射损伤214

3.2 充气型探测器216

3.21 单丝正比计数器217

3.22 多丝正比室223

3.23 电离室238

3.24 平行板雪崩计数器250

3.3 薄膀探测器254

3.4 次级电子发射(SEM)探测器258

参考文献264

第四章重离子束靶(J.L.英特马，F.尼克尔)274

4.1 引言274

4.2 碳剥离膜276

4.3 靶的损伤和靶的寿命283

4.31 辐射损伤283

4.32 溅射285

4.33 蒸发288

4.41 温度的计算289

4.4 靶温度289

4.42 测量293

4.43 用于高离子流密度的靶系统296

4.5 靶的均匀性297

参考文献300

第五章研究重离子反应的磁谱仪(T.沃尔彻)301

5.1 引言301

5.2 一般考虑302

5.21 测量原理302

5.22 探测器的一些情况304

5.23 束流和靶的效应所引起的限制306

5.24 运动学展宽308

5.3 离子光学的一些关系式310

5.31 运动学修正310

5.32 动量分辨本领和质量分辨本领311

5.33 高阶的情况313

5.4 重离子磁谱仪的例子314

5.41 Q3D磁谱仪315

5.42 伯克利磁谱仪316

5.43 GSI磁谱仪318

参考文献320