《离子注入原理与技术》

目录1

第一章 绪论1

§1.1概述1

§1.2离子注入技术的发展和展望1

§1.3离子注入技术的特点和在半导体器件制造中的应用3

第二章 射程分布理论5

§2.1简单的射程分布理论6

§2.2沿着路径测量的射程分布17

§2.3非晶靶中浓度分布的应用实例29

§2.4理论与实验的比较35

§2.5单晶靶中的射程分布理论36

第三章 背散射技术与沟道效应52

§3.1卢瑟夫背散射与背散射谱52

§3.2用背散射测量杂质浓度分布56

§3.3利用沟道效应分析注入层损伤67

§3.4用沟道技术测定杂质的晶格位置81

第四章 能量淀积分布理论86

§4.1离子与固体相互作用的基本概念86

§4.2简单的级联移位理论91

§4.3低能注入离子在固体中的能量淀积空间分布95

§4.4高能注入离子在固体中的能量淀积空间分布104

第五章 辐射损伤和退火112

§5.1辐射损伤112

§5.2形成非晶层的条件和实验结果114

§5.3注入层的损伤分布119

§5.4热退火123

§5.5激光退火136

第六章 增强扩散147

§6.1增强扩散的概念147

§6.2增强扩散实验及讨论152

§6.3多元扩散168

§7.1电特性测试177

第七章 离子注入层特性的测量与分析177

§7.2载流子浓度分布187

§7.3杂质浓度分布的测量200

§7.4注入层损伤的考察和分析209

第八章 离子注入技术在双极器件和集成电路中的应用223

§8.1离子注入在半导体器件和集成电路中应用的特点223

§8.2离子注入双极三极管224

§8.3双注入高速低功耗ECL门电路234

§8.4集成注入逻辑电路235

§8.5高能离子注入埋栅三极管237

§8.6离子注入电荷耦合器件（CCD）237

§8.7用离子注入制备高电阻240

§8.8离子注入技术在其它电路中的应用243

第九章 离子注入MOS电路247

§9.1MOS场效应晶体管简介247

§9.2离子注入自对准MOS场效应晶体管249

§9.3离子注入技术在MOS集成电路中的应用251

§9.4离子注入技术在MOS电路上应用举例259

第十章 化合物半导体离子注入269

§10.1化合物半导体离子注入的特点269

§10.2退火保护274

§10.3化合物半导体的离子掺杂278

§10.4双注入的效果283

§10.5离子注入化合物半导体的损伤285

§10.6离子注入GaAs场效应器件和大规模高速集成电路293

§10.7化合物半导体的质子轰击和器件隔离296

§10.8氧离子注入GaAs300

§10.9其它化合物半导体中的离子注入304

第十一章 离子注入在其他方面的应用311

§11.1离子注入集成光学311

§11.2金属中的离子注入316

§11.3离子注入在超导中的应用322

附录328

后记364