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第一章 离子注人装置1

§1.1离子注入装置的结构1

目录1

§1.2离子源2

§1.3分析器12

§1.4偏转扫描13

§1.5注入剂量的测定16

附录 离子注入用主要气体源的性质17

§2.2入射离子在固体中的减速过程20

第二章 注人离子的射程分布20

§2.1射程、投影射程及标准偏差20

§2.3非晶靶的射程分布理论27

§2.4沟道运动及单晶靶中射程分布37

§2.5射程分布理论的应用44

附录 两粒子碰撞的散射角49

第三章 离子注入的损伤和退火效应54

§3.1离子注入引起的损伤54

§3.2离子注入损伤的分布59

§3.3热退火效应63

§3.4其他退火方式68

§3.5增强扩散71

第四章 化物半导体中的离子注人75

§4.1Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的离子注入75

§4.2半绝缘GaAS中的离子注入86

§4.3GaA3中的质子注入和O+注入87

§4.4其他化合物半导体中的离子注入89

第五章 测量技术92

§5.1背散射测量92

§5.2放射性活化分析97

§5.3微分薄层电阻率法100

§5.4霍耳效应测量法102

§5.5电容电压法104

第六章 离子注人技术在器件中的应用108

§6.1离子注入技术的特点108

§6.2离子注入技术在MOS器件中的应用109

§6.3离子注入技术在双极器件中的应用116

§6.4在其他器件中的应用122

§6.5离子注入技术在金属方面的应用125