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第一章等离子体的基本性质1

1.1 概述1

1.2 等离子体的定义1

1.3 等离子体的温度2

1.4 等离子体浓度及其电离度4

1.5 等离子体的德拜屏蔽4

1.6 等离子体的静电振荡10

1.7 等离子体中的双极扩散12

参考文献14

第二章等离子体的形成15

2.1 概述15

2.2 直流辉光放电15

2.3 射频(RF)放电23

2.4 微波放电41

参考文献62

第三章低温等离子体的诊断64

3.1 概述64

3.2 静电探针测量方法及其应用64

3.3 质谱技术在等离子体诊断中的应用70

3.4 光谱技术在等离子体诊断中的应用75

3.5 红外吸收光谱测量技术79

3.6 激光诱导荧光光谱技术81

参考文献83

第四章低温等离子体加工过程中的物理化学问题84

4.1 概述84

4.2 等离子体化学气相淀积中的物理化学问题84

4.3 等离子体刻蚀的物理化学问题88

4.4 离子束淀积和晶体生长中的物理化学问题94

4.5 等离子体氧化过程的物理化学问题97

4.6 等离子体聚合过程中的物理化学问题99

参考文献103

第五章等离子体CVD设备及其应用105

5.1 概述105

5.2 射频等离子体CVD设备105

5.3 微波等离子体CVD设备109

5.4 等离子体CVD设备公共构件的配置要求116

5.5 等离子体CVD淀积膜厚的监控117

5.6 低温等离子体CVD设备的应用120

5.7 低温等离子体CVD设备的技术指标121

参考文献122

第六章低温等离子体PVD设备及其应用124

6.1 概述124

6.2 低温等离子体PVD设备的要求124

6.3 直流二极溅射设备125

6.4 等离子体磁控溅射PVD设备126

6.5 射频等离子体溅射PVD设备131

6.6 微波等离子体溅射PVD设备132

参考文献133

第七章等离子体和离子束刻蚀设备及其应用134

7.1 概述134

7.2 刻蚀工艺的要求134

7.3 射频等离子体刻蚀设备139

7.4 微波等离子体刻蚀设备140

7.5 射频放电反应离子刻蚀设备141

7.6 射频磁控刻蚀设备142

7.7 反应离子束刻蚀设备143

7.8 影响刻蚀工艺的因素145

7.9 等离子体和离子束刻蚀的实时监控方法149

参考文献149

第八章微细加工中等离子体技术发展的展望151

8.1 概述151

8.2 微细加工中等离子体技术的进展151

8.3 开发等离子体技术在微细加工中新的应用领域154

8.4 等离子体加工技术的基础研究158

参考文献159

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