《半导体及薄膜物理》求取 ⇩

目 录2

第一篇半导体2

第一章半导体物理基础2

§1-1本征半导体和杂质半导体2

§1-2平衡时电子和空穴的统计分布9

§1-3载流子的迁移现象和霍耳效应19

§1-4非平衡载流子33

§1-5 P-N结45

§1-6热电子效应56

第二章氧化物半导体61

§2-1典型氧化物的结构61

§2-2氧化物半导体的化学计量比偏移和杂质缺陷65

§2-3氧化物半导体的点缺陷理论69

§2-4极化子理论86

§2-5某些氧化物的能带结构和电导90

第二篇 固体的表面和界面100

第三章表面与界面的原子过程100

§3-1表面热力学100

§3-2表面与界面的原子结构103

§3-3表面吸附113

§3-4表面扩散和界面扩散117

第四章表面与界面的电子过程129

§4-1功函数与表面电子态129

§4-2表面与界面的电子发射132

§4-3界面接触效应135

第三篇薄膜物理146

第五章薄膜的形成和结构146

§5-1核的形成146

§5-2膜的生长152

§5-3关于薄膜结构的一些问题159

第六章薄膜的力学性质170

§6-1薄膜的附着力170

§6-2附着力的来源172

§6-3薄膜中的内应力177

§6-4淀积参数对薄膜内应力的影响184

第七章薄膜的电导191

§7-1金属膜的电导191

§7-2金属陶瓷薄膜的电导207

§7-3介质膜的电导215

第八章金属薄膜中的电迁移223

§8-1薄膜中的电迁移现象223

§8-2电迁移和薄膜电路失效的关系226

§8-3增强薄膜导电带抗电迁移能力的一些措施229

第九章介质膜的电气特性232

§9-1介质膜的结构特征232

§9-2介质膜的直流电导236

§9-3介质膜的介电系数240

§9-4介质膜的交流电导与损耗247

§9-5介质膜的击穿256

§ 9-6金属——介质夹层中的现象266