《电子材料现代分析概论 第2分册》求取 ⇩

电子显微分析篇1

第一章 电子与物质的相互作用1

1．1 电子的性质1

1．2 电子的散射3

第二章 透射电子显微镜(TEM)8

2．1 电子透镜成像原理10

2．2 电磁透镜的像差、分辨能力、场深与焦长18

2．3 透射电镜的结构与光学系统23

第三章 试样制备技术31

3．1 粉末试样制备技术32

3．2 复型技术34

3．3 薄膜试样制备39

第四章 电子衍射44

4．1 倒易点阵45

4．2 电子衍射几何学原理54

4．3 倒易点阵与晶体衍射强度57

4．4 透射电子显微镜中的电子衍射64

4．5 多晶体和单晶体电子衍射谱70

4．6 简单电子衍射谱指数标定74

4．7 复杂电广衍射谱指数标定81

5．1 质量厚度(质厚)衬度成像102

第五章 透射电镜显微图像衬度原理102

5．2 衍射衬度(衍衬)成像104

5．3 相位衬度成像107

5．4 完整晶体衍衬像运动学理论113

5．5 不完整晶体的运动学理论116

5．6 衍衬动力学理论简介126

5．7 动力学理沦在层错晶体中的应用136

第六章 扫描电子显微镜(SEM)142

6．1 扫描电子显微镜结构与工作原理142

6．2 电子激发的各种信息及其发射区域144

6．3 各种成像类型及其特点145

第七章 电子探针X射线显微分析(EPMA)158

7．1 波谱仪WDS159

7．2 能谱仪EDS162

7．3 WDS与EDS的比较164

7．4 X射线显微分析的模式164

7．5 元素的定量分析170

第八章 分析电子显微镜简介174

8．1 电子能量损失谱(EELS)175

8．2 会聚束电子衍射(CBED)178

第九章 电子材料显微分析应用182

参考文献199

附录201

表面分析篇209

第十章 绪论209

10．1 表面科学与表面分析技术209

10．2 表面分析技术的特点215

10．3 表面分析方法简介217

第十一章 表面分析谱仪222

11．1 概述222

11．2 真空系统223

11．3 清洁表面的制备225

11．4 入射源227

11．5 电子能量分析器238

11．6 检测器247

第十二章 俄歇电子能谱分析249

12．1 概述249

12．2 俄歇效应249

12．3 俄歇峰的能量254

12．4 元素的特征俄歇系列峰258

12．5 俄歇峰的精细结构259

12．6 俄歇信号强度267

12．7 AES的定量分析272

12．8 AES技术的应用281

12．9 小结290

第十三章 X射线光电子能谱分析291

13．1 概述291

13．2 基本原理292

13．3 谱图的主要结构294

13．4 化学位移301

13．5 谱图的次结构——伴线特征309

13．6 XPS定量分析315

13．7 XPS在电子材料中的应用324

第十四章 二次离子质谱分析334

14．1 概述334

14．2 离子和固体的相互作用335

14．3 溅射机理与基本规律340

14．4 二次离子发射和能量分布347

14．5 二次离子谱仪355

14．6 静态SIMS分析技术358

14．7 动态SIMS分析技术367

第十五章 深度剖析382

15．1 基本概念382

15．2 XPS和AES深度剖析在电子材料中的应用387

15．3 非破坏性深度分析400

参考文献404

附录406