《表2 CZTS1*与CZTS2*的电学性能参数》

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《硫化物靶与单质靶制备Cu_2ZnSnS_4薄膜的比较研究》

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表2为通过霍尔测试得到的CZTS1*与CZTS2*的电学性能参数，其中CZTS1*的载流子迁移率要高于CZTS2*，这可能是因为CZTS2*中的载流子浓度较CZTS1*高一个数量级，受到较多载流子的散射影响，从而降低了迁移率。由于CZTS薄膜的p型载流子（空穴）主要由VCu和CuZn受主型缺陷提供[19]，这也说明了由金属靶制备的预制层在硫化过程中更容易产生诸如VCu和CuZn等受主型缺陷态。