《表2 热态辐照样品的程序功能运行状态典型电学参数》

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《180 nm CMOS微处理器辐照损伤剂量的实验研究》

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注：a)4号实验样品因通讯故障，未实时采集数据；b)采集电压值为数据帧正常期间的变化范围；其中，1～8号和9～12号分别采集两个不同的干电池电压

在辐照实验过程中，微处理器预置程序功能的运行状态变化如表2所示。辐照时，抽样校验的FLASH扇区比例占整个存储空间的4.7%；在辐照后，对通讯故障的4号样品进行FLASH校验、并增大2号和8号的FLASH校验比例，都校验失败。本底辐射条件下两个对照样品始终正常运行且电学参数基本无变化。热态辐照前后，STM32芯片各引脚的对地阻抗基本不变，STM32最小电路的功耗及LDO输出电压值如表2所示。