《表2 SBT-BIT-x Sm3+陶瓷的电学性能》

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《Sm~(3+)掺杂SrBi_4Ti_4O_(15)–Bi_4Ti_3O(12)压电陶瓷的结构、电学和光致发光性能》

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为了研究光致发光性能随着Sm3+掺杂浓度的变化，测试了具有不同Sm3+掺杂浓度的SBT–BIT–x Sm3+陶瓷在407 nm波长下激发的PL光谱，光谱图如图9所示，其中，图9的插图为最强发射峰的相对强度随Sm3+掺杂量的变化关系。从图9可以看出：当Sm3+掺杂量00.15时，样品的发光强度随着x的增多而逐渐减弱，当掺杂量x=0.15时，样品的发光强度达到最大值。这是因为当掺杂浓度低时，增大中心发光离子的数目可增大电子的能级跳跃概率，导致发光强度增强，而当掺杂量过大时，中心发光离子间的距离减小，提高了离子间的能量传递过程，从而导致浓度淬灭[31]。随后，对SBT–BIT–0.15Sm3+陶瓷样品的量子产率进行了测试，发现其量子产率η仅为2.81%，与一些商业化应用的红荧光材料（η=46%）相比相差较大[32]，这可能与铋层状陶瓷材料的晶体结构以及晶格缺陷等因素有关。