《表1 SBT-BIT-x Sm3+陶瓷样品的的晶胞参数》

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《Sm~(3+)掺杂SrBi_4Ti_4O_(15)–Bi_4Ti_3O(12)压电陶瓷的结构、电学和光致发光性能》

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图5为SBT–BIT–x Sm3+陶瓷样品抛光及热腐蚀处理后的表面SEM照片。由图5可见，所有陶瓷样品的晶粒均呈现出典型片状结构特点，这是由于对于铋层状结构陶瓷而言，其晶粒沿c轴方向的生长速率总是小于沿a–b面方向[23]。此外，从图5可看出，掺杂Sm3+后的陶瓷样品的晶粒得到细化，这可能是由于Sm3+容易在晶界或其附近处偏析、富集，从而阻碍了晶界的移动，抑制了晶粒的生长[20]。