《表1 CBT–BIT–x Ce陶瓷样品的晶胞参数》

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《Ce掺杂CaBi_8Ti_7O_(27)共生铋层状铁电陶瓷的结构与电学性能》

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为了进一步研究CBT–BIT–x Ce陶瓷的结构，通过GSAS软件对XRD进行Rietveld精修拟合，采用空间群为正交相的I2cm[12]。图2为CBT–BIT样品的精修结果，表1为所有样品的精修晶胞参数和正交化程度与Ce掺杂量的变化关系。根据Long等[13]报道，正交畸变程度可以由2（a–b）/（a+b）的计算值来判断，其值越大表示类钙钛矿层的畸变程度越大。由表1可知，随着Ce掺杂量增加，正交畸变程度逐渐增大。