《表1 x MSLBNT陶瓷的B位键价》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《非化学计量掺杂对(SmLi)_(0.04)(BiNa)_(0.46)TiO_3陶瓷电性能的影响》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

第一层电离和第二层电离活化能分别约为0.1和0.7 e V[27]。纯的BNT为氧空位导电，迁移活化能为1 e V左右[17]。添加1%Mn CO3后，样品的Ea略高于氧空位的第二层电离能，远低于氧空位导电的迁移活化能，这说明样品中的空位被电场电离，产生大量的导电电子，电离产生的电子更靠近导带并主导了样品的导电方式。同时也表明在1MSLBNT样品中，氧空位缺陷所占比例有所减少，不再是Bi3+烧损引起的空位导电机制为主。