《表1 CBNLCL-100x陶瓷的精修结果及晶胞参数》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《Li/Ce/La共掺杂对CaBi_2Nb_2O_9陶瓷晶体结构及电学性能的影响》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

Note:Rp，Rwp，Rexp and Chi2 are profile residual，weighted profile residual，expected error and goodness of fit，respectively

为了进一步分析（Li，Ce，La）掺杂对晶胞结构（包括晶胞参数、原子占位、键长键角）的影响，采用Rietveld方法并利用Fullprof软件[15]对XRD图谱进行结构精修。由于掺杂组分（Ce3+，La3+）的离子半径0.101和0.1.032 nm，6配位) 远大于B位的Nb5+（0.064 nm，6配位），而Li+离子半径虽然与B位的Nb5+接近，但其电荷数远远少于Nb5+，因此，掺杂组分（Li，Ce，La）不太可能占据B位。（Li+，Ce3+，La3+）的离子半径（0.115，0.134，0.136 nm，12配位）更接近A位的Ca2+（0.134 nm，12配位），且平均电荷相等，因此，掺杂组分（Li，Ce，La）更倾向于占领A位。假设掺杂组分（Li，Ce，La）全部占据A位，采用Blake等[16]提出的CBN晶体结构模型进行精修，考虑反位缺陷的存在。拟合曲线与实验曲线吻合较好，精修结构收敛，加权全谱因子Rwp<10%且图谱吻合度Chi2（χ2）<4。CBNLCL-100x（x=0，0.05，0.1，0.12，0.15和0.17）陶瓷的精修结果及晶胞参数如表1所示，部分键长、键角如表2所示。