《表1 精修后的811-bare原始样和Ti O2改性样晶胞参数》

《表1 精修后的811-bare原始样和Ti O2改性样晶胞参数》   提示:宽带有限、当前游客访问压缩模式
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《TiO_2改性提高LiNi_(0.8)Co_(0.1)Mn_(0.1)O_2正极材料的电化学及储存性能》


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为了进一步定量分析晶胞参数变化,对两个样品的XRD图谱进行了Rietveld精修理,其结果如图1d和1e以及表1所示。与未改性样相比,Ti O2改性样的晶胞参数略微增大,这主要是由于少量的Ti4+(0.605)进入Li Ni0.8Co0.1Mn0.1O2的晶格中,并取代了半径较小的过渡金属[34,40-42]。与此同时,原始样与Ti O2改性样品的I(003)/I(104)的比值分别为1.8484和1.7953,表明Ti O2改性会造成阳离子混排加剧。Liu等[41]通过对比Ti O2包覆与Ti4+掺杂对Li Ni0.8Co0.2O2材料结构与性能的影响发现,Ti O2包覆并不会影响材料的晶体结构,而Ti4+掺杂则会使晶胞参数扩张,也会加剧锂镍混排。因此可以推测,Ti4+成功地进入晶格体内,并为了维持电荷平衡,使部分Ni3+还原为Ni2+,进而加剧锂镍混排[13]。为了验证Ti O2改性样表面Ti O2包覆层的存在及Ti4+的掺杂,采用EDS mapping表征材料截面的元素分布。如图3c,Ni,Co,Mn这3种元素在截面上均匀分布,而Ti元素则在表面富集,并有一部分在高温热驱动的作用下进入材料晶格。