《表3 Sn Ti O3-xSx (x=0, 0.5) 的Bader电荷 (Sn Ti O2.5S0.5) O和 (Sn Ti O2.5S0.5) S分别表示不含S和含S的Ti八面体所在晶胞单元Oa/

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《S掺杂调节SnTiO_3带隙的第一性原理研究》

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Bader电荷分析表明，S的掺入使阳离子或者阴离子的电荷总数变小。不含S的晶胞单元离子电荷总数变化小，含S的晶胞单元离子电荷总数变化比较大，这是由于S的电负性要比O小，导致近邻S的离子展现的离子性要比远离S的离子做展现的离子性弱，离子之间的成键变弱。由于Sn被两个晶胞单元所共用，我们将离S近的Sn归入含S的晶胞单元，离S远的归入不含S的晶胞单元。如表3所示，不含S晶胞单元的每个离子的电荷变化都比较小，甚至不变；而含S晶胞单元的每个离子的电荷变化都比较大。SnTiO2.5S0.5比SnTiO3整体电离度的减少导致了其能带带隙变低[12]。