《表1 试验处理组合 (因素及水平) 表》

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《GA_3处理对蒙斯特薰衣草种子发芽的影响》

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采用两因素随机区组试验设计方法，研究GA3浓度和处理时间对蒙斯特薰衣草种子发芽和幼苗生长的影响，以蒸馏水浸种为对照（CK），总计17个处理组合，试验因素及水平处理详见表1。每处理组合设3次重复，每重复30粒种子。先将种子用蒸馏水浸泡2 h，再分别用GA3浸泡处理，最后用0.2%KMnO4消毒15 min，播于72孔（12×6）穴盘中，基质选用以0.2%KMnO4消过毒的园土。播后用蛭石覆盖，从底部灌水浸透基质。