《表1 不同氧分压下Ni O薄膜的迁移率、载流子浓度和电阻率》

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《氧分压对NiO薄膜特性的影响》

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表1为不同氧分压下Ni O薄膜的迁移率、载流子浓度和电阻率。从表1可知:随着氧分压的逐渐增加，Ni O薄膜的迁移率呈现出下降的趋势，从2.09 cm2/（V·s）逐渐减小到0.14 cm2/（V·s）。而载流子浓度呈现出上升的趋势，从5.45×1017cm-3逐渐增加到2.16×1019cm-3。所获得的这一系列Ni O薄膜样品都呈现p型导电特性。从表1中还可以看出:Ni O薄膜的电阻率为1.05~4.27Ω·cm，说明Ni O薄膜的电阻率较低。随着氧分压的增加，Ni O材料电阻率呈现先增加后减少的趋势，并且当氧分压为45%时，Ni O样品的电阻率最大。综上所述，当氧分压较高时，Ni O薄膜载流子浓度较高，但迁移率较低，因此，在使用Ni O薄膜制备发光器件时需要选择合适的氧分压。