《表1 处理前后器件缺陷态密度和载流子迁移率》

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《表面处理提高全无机CsPbBrI_2钙钛矿太阳能电池性能》

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对应参数总结在表1中。处理后的电子迁移率达到了0.58 cm2V-1s-1（未处理为0.25 cm2V-1s-1），空穴迁移率达到了1.02 cm2V-1s-1（未处理为0.33 cm2V-1s-1）。以上结果表明在用2.5 mg/m L NH4VO3溶液表面处理的薄膜并进行二次退火后，有效地改善了薄膜质量和载流子动力学过程和减少了载流子在界面和晶界处的复合损失。