《表3 退火态和应变率为4%的试样中的位错密度》

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《晶体取向对单晶铝磁致塑性的影响》

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1014m-2

由于晶体取向不同，形变过程中位错组态的发展过程也不相同。从表3可以看出，磁场中拉伸的试样的位错密度较低。应变量相同，位错密度差异很大，说明晶体取向影响位错增殖过程。位错密度越大，材料的强度越高，位错密度的差异是单晶力学性能各向异性的直接原因。根据双交滑移机制，螺型位错经双交滑移后形成难以运动的刃型割阶，即对原位错产生钉扎作用，并使原位错在新滑移面{111}上滑移时成为1个F-R位错源[25]。在第2个{111}面扩展出来的位错环又可以通过交滑移转移到第3个{111}面上增殖，从而使位错密度迅速增大。<100>试样滑移系最多，双交滑移产生了大量位错源，位错不断增殖、交割，形成了位错密度较高的位错网。<110>和<111>试样的滑移带没有出现波浪形（见图4），说明位错没有频繁地交滑移，位错源数量少，位错密度低。