《表1 AgxSn1-xSe载流子浓度、迁移率及相对密度》

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《Ag掺杂对SnSe材料热电性能的影响》

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图3为不同Ag掺杂量的AgxSn1-xSe（x=0.5%~2.0%）块体材料沿平行于压力方向的热电性能随温度的变化曲线。图3（a）为AgxSn1-xSe（x=0.5%~2.0%）沿平行于压力方向的电导率随温度的变化曲线。当温度从室温~400K时，电导率小幅度的上升；当温度从400~550K范围变化时，电导率又随温度的升高而下降；当温度高于550K时，电导率大幅度的升高，于773K时达到最高值。电导率的变化特征表现出典型的半导体特征。当Ag的掺杂量为1.5%，即Ag0.015Sn0.985Se的电导率最高，达到27.33S/cm。表1为室温下的霍尔测试结果。从表1可以发现，随着Ag掺杂量的增加，载流子浓度也逐渐增加，远大于未掺杂的SnSe的载流子浓度（1017 cm-3），而迁移率却逐渐降低，这可能是由于沉积在晶界处的Ag增强了载流子散射的原因。总体而言，Ag的掺入提高SnSe化合物的电导率，但相比其它热电体系而言，电导率仍然较低。