《表1 单次曝光和分次曝光法的工艺参数》
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《高精度AZ厚胶光刻及在微型射频同轴器制作中的应用》
为研究分次曝光显影法对不同尺寸掩膜板图形光刻后尺寸精度的影响，设计如下试验。掩膜板图形为线宽从25~130μm每隔5μm或者10μm变化的线条，并且每个尺寸在掩膜板不同区域重复5次。对具有不同线宽尺寸的掩膜板图形进行分次曝光显影试验。同时为了比较单次曝光法和分次曝光法的光刻图形尺寸精度，对95μm线宽的掩膜图形进行单次曝光显影试验。光刻试验的工艺参数如表1所示。测量显影后图形的顶部和底部线宽，具体的工艺流程如下:
| 图表编号 | XD0025668100 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2018.05.01 |
| 作者 | 杜立群、李爰琪、齐磊杰、李晓军、朱和卿、赵雯、阮久福 |
| 绘制单位 | 大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室、大连理工大学辽宁省微纳米及系统重点实验室、大连理工大学辽宁省微纳米及系统重点实验室、大连理工大学辽宁省微纳米及系统重点实验室、大连理工大学辽宁省微纳米及系统重点实验室、大连理工大学辽宁省微纳米及系统重点实验室、大连理工大学辽宁省微纳米及系统重点实验室、合肥工业大学光电技术研究院 |
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