《表1 SU—8 2005曝光实验参数》

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《SU-8微小网孔阵列结构的形貌优化工艺研究》

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3)在Ti/Cu牺牲层上，旋涂5μm厚SU—8 2005（MicroChem Corporation，USA）光刻胶，依次经过前烘（热板95℃，2 min）、曝光（见表1）、后烘（热板95℃，3 min）、显影（先在PGMEA中显影30 s后换IPA中漂洗10 s，该过程重复1遍）、坚膜（150℃，5 min），形成雾化液体出口的阵列微孔结构。表1中，曝光时间=曝光剂量/能量密度。