《表6 键桥O形式的电荷布居和单位键长》
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《金红石型TiO_2(110)表面与Ag相互作用的第一性原理研究》
从表5~表7可以看出,纯Ti O2(110)面的Ti-O之间的电荷布居在0.86~0.26之间,而Ti-O之间的单位键长则为0.1804~0.2013 nm之间。当吸附Ag原子时,键桥O原子的Ti-Ag之间的电荷布居为0.54,单位键长为0.2653 nm,而键桥Ti原子的Ti-Ag之间的电荷布居为0.54,单位键长为0.2638 nm。2种键桥形式的电荷布居一致,但是键桥Ti原子的Ti-Ag之间的单位键长则略小于键桥O原子的单位键长,从理论上而言,键长越短则原子之间的结合能力就越强,从上面2种键桥形式的Ti-Ag之间的单位键长来看,键桥Ti更容易吸附Ag原子,这与键桥Ti吸附Ag原子的分析是一致。
图表编号 | XD00185519700 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.05.01 |
作者 | 鲍冰、沈月、张丽仙、潘勇、许彦亭、郭俊梅、闻明 |
绘制单位 | 贵研金属(上海)有限公司、昆明贵金属研究所稀贵金属综合利用国家重点实验室、云南省第一人民医院昆明理工大学附属医院、西南石油大学、昆明贵金属研究所稀贵金属综合利用国家重点实验室、昆明贵金属研究所稀贵金属综合利用国家重点实验室、昆明贵金属研究所稀贵金属综合利用国家重点实验室 |
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