《表2 6种模型的Mulliken电荷布居对比Tab.2 Comparison of Mulliken charge population in six models》

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《4H-SiC中点缺陷的第一性原理研究》

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电荷布居又称作Mulliken布居，反映了电荷在各组成原子之间的分布情况。表2所示为计算得到的本征态及5种点缺陷的原子电荷布居变化情况。表中列举了每种点缺陷中电荷布居差异性较大的几类原子，电荷布居变化量相近的放在一类。例如VC缺陷中有3种不同的原子，其中Si原子有两类，Si1（32）表示第一类Si原子，这类原子有32个，1.25~1.29表示这类原子的电荷布居变化范围，正值说明在形成共价键后电荷偏向这类原子这一侧，负值表示电荷远离这类原子。本征态的Si和C的电荷布居变化表明，Si对电荷的吸引力比C强，二者的电荷布居发生对称性的变化。在VC缺陷中，Si原子的变化分了两类，第二类Si2（4）只有4个原子，且其电荷布居变化率比第一类Si1（32）少了约1/4，可以推测第二类的这4个Si原子即是C空位邻近的4个Si原子。这个计算结果和程萍等人[13]的结论保持一致:C空位只会对邻近的4个Si原子产生影响。对于缺陷VC-C，Si和C的变化各分了两类:第二类C2（4）这4个C主要是由于缺失一个Si造成的；当邻近的C移动到Si的位置时，又会对C原来周围的3个Si产生影响，也就是Si2（3）。替位B和替位P这两种缺陷主要对替换掉的Si周围的4个C起作用，这一点与VC相似，但影响程度不一样。替位B比替位P的影响更大一些，为-1.05~-1.06，这是因为B的半径与C更接近，使得B和C争抢电荷的能力相当。填隙B分别与周围的3个Si和3个C都产生了相互作用力，而且此时的B表现出了负离子的行为，这一点与替位B中的B有明显的差别。