《表3 纯和掺杂γ-Ti Al体系的Mulliken电荷布居数Table 3 Mulliken population of pure and dopedγ-Ti Al systems》

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《La和Zr双掺杂γ-TiAl基合金延性与电子性质的第一性原理研究》

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为了研究γ-Ti Al基合金中Ti，Al原子间的电荷转移情况，我们计算了典型体系S0，S51，S52，S63，S64的Mulliken电荷布居数，表3列出的是平均值。对比可知，在双掺杂体系S51，S52，S63，S64中，由于La和Zr原子的替代掺杂，使Ti 4s→3d，Al 3s→3p的电荷转移量减少。这会弱化掺杂体系中p-d轨道杂化作用，使形成金属键的自由电子数量较纯γ-Ti Al体系有所增加，从而使La和Zr替代掺杂γ-Ti Al基合金体系的延性有所改善。